宜春代寫合同論文協議總結等文書 咸寧通山至九江武寧高速公路
（2）助力國家第三代半導體產業國產化進程
全球第三代半導體產業雖有較長時間的研究歷程，但在近年來才逐步實現產業化推廣，并在越來越多適應于高壓、高頻、高功率的領域得到廣泛應用，如光伏、風能、新能源汽車、充電樁、高鐵、5G等應用領域。目前，美、歐、日等國家在第三代半導體產業鏈技術成熟度明顯領先于中國。以碳化硅功率器件產業鏈為例：原材料方面，碳化硅功率器件最主要原材料為碳化硅襯底，在成本中占比約50%，60%以上碳化硅襯底產自美國Cree公司，剩余約30%以上碳化硅襯底產自其他美、歐、日半導體材料公司；生產制造方面，可以實現碳化硅功率器件大規模量產的品牌企業也主要是美國Cree、德國英飛凌、美國安森美、日本羅姆、瑞士意法半導體等國外先進技術企業；市場應用方面，國內市場約80%的碳化硅功率器件依賴于進口。鑒于全球第三代半導體產業仍處于產業化的起步快速成長階段，國內企業技術水平與國際先進企業差距相對有限，有望通過加大投入逐步縮小與國際先進企業技術差距；此外，第三代半導體產業鏈實現國產化，對保障國家新能源革命戰略順利推進至關重要。
（3）豐富公司功率半導體產品線，提升公司核心競爭力
公司在功率半導體領域有著清晰的技術路線和產品路線。目前產品線以硅基功率器件為主，包括肖特基二極管、超級結MOSFET、快恢復二極管、SGT-MOSFET等。公司以硅基功率器件為基本盤，積極布局第三代半導體相關產品，滿足功率器件往更高的功率密度、更高的封裝密度方向發展，有助于豐富公司功率半導體產品線，進一步提升公司在功率半導體產業的核心競爭力。
3、項目建設的可行性
（1）國家政策大力支持第三代半導體產業發展
近年來，國家大力支持第三代半導體產業發展，國家及各部委、各地方陸續發布針對第三代半導體產業發展的支持政策。國家政策的大力支持，將有力地推動我國第三代半導體產業的發展，為本項目實施提供了良好的政策環境。
（2）碳化硅功率器件市場持續快速增長
碳化硅的市場應用領域偏向1000V以上的中高電壓范圍，具有耐高壓、耐高溫、高頻三大優勢，比硅更薄、更輕、更小巧。碳化硅功率器件市場目前處于產業化的起步階段，但市場規模正在快速擴張。現階段，限制碳化硅功率器件推廣的主要因素包括碳化硅原材料成本高、產業鏈成熟度有待提升、下游應用有待進一步開發。伴隨國內外碳化硅產業鏈日趨成熟，規模和技術不斷提升，成本持續下降，下游新的應用不斷開發，碳化硅即將迎來爆發式增長。根據IHS統計數據，2018年碳化硅功率器件市場規模約3.9億美元，受新能源汽車龐大需求的驅動，以及光伏、風能和充電樁等領域對于效率和功耗要求提升，預計到2027年碳化硅功率器件的市場規模將超過100億美元。
（3）碳化硅功率器件已初具國產化供應鏈基礎
在國家的大力支持和國內先行企業的不斷探索下，我國碳化硅功率器件已初具國產化供應鏈基礎，為碳化硅功率器件進一步國產化和供應鏈自主可控奠定了較好的產業鏈基礎。
（4）公司擁有相關的技術儲備，并已對碳化硅工藝平臺完成了初步驗證
公司控股子公司及其研發團隊長期從事硅基功率半導體及第三代半導體功率器件的研發及產業化工作，擁有豐富的技術儲備，前期已與合作晶圓代工廠對碳化硅工藝平臺進行了初步驗證，為后續進行試生產和量產奠定了良好的基礎，對本項目的順利實施提供了技術保障。
無錫代寫高端溝槽型肖特基二極管生產線項目可行性研究報告
2、項目建設的必要性
（1）新能源蓬勃發展帶動上游功率半導體器件需求增長
習近平總書記在2021年3月15日的中央財經委員會第九次會議上強調，實現“碳達峰、碳中和”是一場廣泛而深刻的經濟社會系統性變革。能源供給的多樣化與否直接涉及國家安危。“碳達峰、碳中和”戰略將我國能源體系從傳統上較弱的“資源屬性”轉變成了較強的“制造屬性”。我國功率半導體產業勢必伴隨著能源系統和動力系統在中國“碳達峰、碳中和”的“雙碳”戰略目標導向下發生深刻而長遠的歷史性變革和國產化機遇。傳統的能源系統和動力系統將從“碳基時代”邁向“硅基時代”，從而在能源生產側實現“清潔替代”，在能源消費側實現“電能替代”。以電為中心，以電力系統為平臺，以清潔化、電氣化、數字化、標準化為方向，構建清潔低碳、安全高效的能源體系，這將會直接推進社會格局的重塑再構和人類文明的跨代演進。
功率半導體廣泛應用于光伏、風能、儲能、新能源汽車等新能源領域。根據國際能源署（IEA）預測，可再生能源將在2025年取代煤電近50年的統治地位，成為世界最主要的發電方式，可再生能源將供應世界近三分之一的電力，全球光伏和風能在總發電量中的占比將從目前的7%提升至2040年的24%，太陽能將在2040年生產相當于2019年13倍的電力。此外，儲能裝置和新能源汽車產銷量也將保持快速增長。因此，受全球新能源市場蓬勃發展推動，功率半導體作為電子裝置電能轉換與電路控制的核心器件，其市場也將迎來長期快速增長。
（2）功率半導體進口替代市場需求強烈
根據IHS統計數據，2019年全球功率半導體市場規模達403億美元，其中中國功率半導體市場占據全球35%以上的份額，為全球最大市場，但國產化率仍處于相對較低水平，尤其是中高端產品領域進口替代有著非常廣闊的市場空間。中國大陸功率半導體產業整體起步較晚，經過國家多年的政策扶持和國產廠商努力，國產功率半導體企業發展已取得了長足進步，但與國外品牌企業相比仍存在較大差距，國產功率半導體市場尚未形成穩定的競爭格局。伴隨功率半導體國產化進一步推進，中國市場有望涌現一批世界級的功率半導體企業。
（3）公司功率半導體訂單遠超目前產能負荷
MOS場效應二極管（MosFieldEffectRectifier，MFER）系公司控股子公司廣微集成的核心產品，具體涵蓋100多種規格型號。MOS場效應二極管是一種新型的肖特基勢壘二極管，相比于平面肖特基二極管來說，其MOS溝槽結構很好地抑制了肖特基表面勢壘降低效應，使得其具有較高的擊穿電壓。在45-300V電壓級別應用領域，溝槽型肖特基二極管相對于平面肖特基二極管具有很大的競爭優勢，主要體現在其較低的導通壓降，低的漏電流和好的高溫特性，產品主要面向市場高端領域。自2019年第四季度開始，廣微集成核心產品MOS場效應二極管產銷量開始穩步上升。隨著產品系列的不斷豐富和客戶認可度的不斷提高，MOS場效應二極管的晶圓（6英寸）銷量從2019年初1，000片/月提升至目前約8，000片/月。根據在手訂單情況，廣微集成已通過設備合作與上游晶圓加工廠協商擴增產能，預計2021年第三季度6英寸晶圓產能擴增至15，000片/月，但仍遠不能滿足現有及潛在客戶的訂單需求，公司亟需通過協同上游晶圓代工廠進一步擴大晶圓代工產能，以持續滿足客戶訂單需求。
